IXDN609YI vs IXDD609SI 비교

다음의 상세 나란히 비교: IXDN609YI 제조: IXYS 및 IXDD609SI 제조: IXYS. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IXDN609YI IXDD609SI
브랜드 IXYS IXYS
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.15 $2.15
Configuration Low-Side Low-Side
Peak Output Current (Source/Sink) 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Input Logic Compatibility CMOS, non-inverting —
Logic Input Negative Swing Tolerance -5 V —
Propagation Delay 40 ns (typ) 40 ns (typical)
상승 시간 < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
하강 시간 < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
동작 온도 범위 -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (extended)
패키지 TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Latchup Immunity Yes (proprietary CMOS input stage) —
Cross-Conduction Protection Yes —
Matched Rise/Fall Times Yes —
MSL 레벨 Level 3 —
RoHS 상태 Compliant —
출력 수 — 1
Peak Source/Sink Current — 9 A
Logic Input Voltage Range — -5 V to VCC
Input Type — CMOS-compatible, non-inverting with enable
Output Stage — Matched propagation delays, cross-conduction protected
Automotive Qualification — AEC-Q100
Latch-up Immunity — Yes (proprietary input structure)

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