JMTG100N06A vs DMN3190LDW-7 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von JMTG100N06A von Jiejie Micro und DMN3190LDW-7 von Diodes Incorporated. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter JMTG100N06A DMN3190LDW-7
Marke Jiejie Micro Diodes Incorporated
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,10
Manufacturer Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd —
Transistortyp N-Channel Power Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage V(DSS) 60 V —
Continuous Drain Current I(D) 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V 7.7 mΩ —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V 8.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ 1.5 V —
Gehäuse PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
Montageart Surface Mount Surface Mount
Plating Pb-free —
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliant —
UIS (Avalanche) Tested 100 % —
V(DS) Tested 100 % —
EAS Test Condition T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A —
Primary Applications Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive —
FET Type — Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 1 A
Power Dissipation (PD) — 320 mW
Betriebstemperatur — -55C to +150C
Configuration — Dual, independent drains
Technology — Silicon N-Channel MOSFET
Channel Mode — Enhancement
MSL-Level — 1 (unlimited)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

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