JMTG100N06A vs DMN3190LDW-7 比較

詳細な並列比較: JMTG100N06A メーカー: Jiejie Micro および DMN3190LDW-7 メーカー: Diodes Incorporated。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Jiejie Micro
JMTG100N06A JMTG100N06A - 60V 55A 7.7mΩ N-Ch Trench MOSFET | JieJie

JMTG100N06A - 60V 55A 7.7mΩ N-Ch Trench MOSFET | JieJie

JMTG100N06A ✓ 生産中
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ JMTG100N06A DMN3190LDW-7
ブランド Jiejie Micro Diodes Incorporated
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.15 $0.10
Manufacturer Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd —
トランジスタタイプ N-Channel Power Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage V(DSS) 60 V —
Continuous Drain Current I(D) 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V 7.7 mΩ —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V 8.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ 1.5 V —
パッケージ PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Plating Pb-free —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS Compliant —
UIS (Avalanche) Tested 100 % —
V(DS) Tested 100 % —
EAS Test Condition T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A —
Primary Applications Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive —
FET Type — Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 1 A
Power Dissipation (PD) — 320 mW
動作温度 — -55C to +150C
Configuration — Dual, independent drains
Technology — Silicon N-Channel MOSFET
Channel Mode — Enhancement
MSLレベル — 1 (unlimited)
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

データシート&リソース

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