JMTG100N06A vs DMN3190LDW-7 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de JMTG100N06A par Jiejie Micro et DMN3190LDW-7 par Diodes Incorporated. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre JMTG100N06A DMN3190LDW-7
Marque Jiejie Micro Diodes Incorporated
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,10
Manufacturer Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd —
Type de transistor N-Channel Power Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage V(DSS) 60 V —
Continuous Drain Current I(D) 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V 7.7 mΩ —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V 8.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ 1.5 V —
Boîtier PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plating Pb-free —
Sans halogène Yes —
RoHS Compliant —
UIS (Avalanche) Tested 100 % —
V(DS) Tested 100 % —
EAS Test Condition T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A —
Primary Applications Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive —
FET Type — Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 1 A
Power Dissipation (PD) — 320 mW
Température de fonctionnement — -55C to +150C
Configuration — Dual, independent drains
Technology — Silicon N-Channel MOSFET
Channel Mode — Enhancement
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

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