JMTG100N06A vs DMN3190LDW-7 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de JMTG100N06A por Jiejie Micro e DMN3190LDW-7 por Diodes Incorporated. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro JMTG100N06A DMN3190LDW-7
Marca Jiejie Micro Diodes Incorporated
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,10
Manufacturer Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd —
Tipo de transistor N-Channel Power Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage V(DSS) 60 V —
Continuous Drain Current I(D) 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V 7.7 mΩ —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V 8.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ 1.5 V —
Encapsulamento PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Plating Pb-free —
Livre de halogênio Yes —
RoHS Compliant —
UIS (Avalanche) Tested 100 % —
V(DS) Tested 100 % —
EAS Test Condition T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A —
Primary Applications Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive —
FET Type — Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 1 A
Power Dissipation (PD) — 320 mW
Temperatura de operação — -55C to +150C
Configuration — Dual, independent drains
Technology — Silicon N-Channel MOSFET
Channel Mode — Enhancement
Nível MSL — 1 (unlimited)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

Fichas técnicas e recursos

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