K3K8K80BM-MGCP vs K3LKBKB0BM-MGCP Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K3K8K80BM-MGCP von Samsung Electronics und K3LKBKB0BM-MGCP von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K3K8K80BM-MGCP | K3LKBKB0BM-MGCP |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $46,62 |
| Speichertyp | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | DRAM (LPDDR5 SDRAM) |
| Density | 64 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 32 | 1G x 32 |
| Datenrate | 6400 Mbps | 6400 Mbps per pin |
| Schnittstelle | LPDDR5 (CMOS) | LPDDR5 x32 |
| Gehäuse | FBGA-315 (PBGA315) | FBGA-315 |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| Betriebstemperatur | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| Speichergröße | — | 32 Gbit |
| Supply Voltage Rails | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Technology Generation | — | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) |
| Density per Package | — | 4 GB (32 Gbit) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) |
| Application Segment | — | Mobile, embedded, industrial computing |
| Standby / Deep Sleep | — | LPDDR5 deep-sleep power states |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Access Time / Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |