K3K8K80BM-MGCP vs K3LKBKB0BM-MGCP Comparación

Comparación detallada lado a lado de K3K8K80BM-MGCP por Samsung Electronics y K3LKBKB0BM-MGCP por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K3K8K80BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3K8K80BM-MGCP ✓ Activo
Samsung Electronics
K3LKBKB0BM-MGCP K3LKBKB0BM-MGCP - 32Gbit LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKBKB0BM-MGCP - 32Gbit LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKBKB0BM-MGCP ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K3K8K80BM-MGCP K3LKBKB0BM-MGCP
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $46,62
Tipo de memoria LPDDR5 SDRAM (DRAM) DRAM (LPDDR5 SDRAM)
Density 64 Gb —
Organización de memoria 2G x 32 1G x 32
Velocidad de datos 6400 Mbps 6400 Mbps per pin
Interfaz LPDDR5 (CMOS) LPDDR5 x32
Encapsulado FBGA-315 (PBGA315) FBGA-315
Supply Voltages 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
Temperatura de funcionamiento -25C to +85C -25C to +85C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Memory Category Volatile DRAM —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead Free Yes —
Application Class Specialized ICs / Memory —
I/O Width 32-bit —
Tamaño de memoria — 32 Gbit
Supply Voltage Rails — 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V
Technology Generation — LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family)
Density per Package — 4 GB (32 Gbit)
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard)
Application Segment — Mobile, embedded, industrial computing
Standby / Deep Sleep — LPDDR5 deep-sleep power states
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Access Time / Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]

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