K3K8K80BM-MGCP vs K3LKBKB0BM-MGCP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3K8K80BM-MGCP par Samsung Electronics et K3LKBKB0BM-MGCP par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3K8K80BM-MGCP | K3LKBKB0BM-MGCP |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $46,62 |
| Type de mémoire | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | DRAM (LPDDR5 SDRAM) |
| Density | 64 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 32 | 1G x 32 |
| Débit de données | 6400 Mbps | 6400 Mbps per pin |
| Interface | LPDDR5 (CMOS) | LPDDR5 x32 |
| Boîtier | FBGA-315 (PBGA315) | FBGA-315 |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| Température de fonctionnement | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| Taille de mémoire | — | 32 Gbit |
| Supply Voltage Rails | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Technology Generation | — | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) |
| Density per Package | — | 4 GB (32 Gbit) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) |
| Application Segment | — | Mobile, embedded, industrial computing |
| Standby / Deep Sleep | — | LPDDR5 deep-sleep power states |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Access Time / Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |