K3K8K80BM-MGCP vs K3LKBKB0BM-MGCP 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3K8K80BM-MGCP 제조: Samsung Electronics 및 K3LKBKB0BM-MGCP 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3K8K80BM-MGCP | K3LKBKB0BM-MGCP |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $46.62 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | DRAM (LPDDR5 SDRAM) |
| Density | 64 Gb | — |
| 메모리 구성 | 2G x 32 | 1G x 32 |
| 데이터 속도 | 6400 Mbps | 6400 Mbps per pin |
| 인터페이스 | LPDDR5 (CMOS) | LPDDR5 x32 |
| 패키지 | FBGA-315 (PBGA315) | FBGA-315 |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| 동작 온도 | -25C to +85C | -25C to +85C |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| 메모리 크기 | — | 32 Gbit |
| Supply Voltage Rails | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Technology Generation | — | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) |
| Density per Package | — | 4 GB (32 Gbit) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) |
| Application Segment | — | Mobile, embedded, industrial computing |
| Standby / Deep Sleep | — | LPDDR5 deep-sleep power states |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Access Time / Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |