K3K8K80BM-MGCP vs K3LKBKB0BM-MGCP Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K3K8K80BM-MGCP por Samsung Electronics e K3LKBKB0BM-MGCP por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K3K8K80BM-MGCP | K3LKBKB0BM-MGCP |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $46,62 |
| Tipo de memória | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | DRAM (LPDDR5 SDRAM) |
| Density | 64 Gb | — |
| Organização da memória | 2G x 32 | 1G x 32 |
| Taxa de dados | 6400 Mbps | 6400 Mbps per pin |
| Interface | LPDDR5 (CMOS) | LPDDR5 x32 |
| Encapsulamento | FBGA-315 (PBGA315) | FBGA-315 |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| Temperatura de operação | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| Tamanho da memória | — | 32 Gbit |
| Supply Voltage Rails | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Technology Generation | — | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) |
| Density per Package | — | 4 GB (32 Gbit) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) |
| Application Segment | — | Mobile, embedded, industrial computing |
| Standby / Deep Sleep | — | LPDDR5 deep-sleep power states |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Access Time / Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |