K4A4G165WE-BCTD vs MT40A256M16GE-075E:B Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A4G165WE-BCTD von Samsung Electronics und MT40A256M16GE-075E:B von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD ✓ Aktiv
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A4G165WE-BCTD MT40A256M16GE-075E:B
Marke Samsung Electronics Micron Technology
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $11,38 $3,95
Speichertyp DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Speichergröße 4 Gbit 4 Gbit
Memory Organization 256M x 16 —
Schnittstelle Parallel, x16 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Die Generation E-die —
Gehäuse FBGA-96 (TFBGA) 96-FBGA (9 x 14 mm)
Terminal Count 96 —
Betriebstemperatur 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade]
Montageart Surface Mount Surface Mount
Speed Grade [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] —
RoHS-Status Compliant (per JLCPCB listing) —
Product Status Active —
Datasheet Revision K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 —
Burst Length BL8 (JEDEC DDR4) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4) —
Speicherorganisation — 256M x 16
Memory Interface — Parallel
Clock Frequency — 1.33 GHz
Datenrate — 2666 MT/s (DDR4-2666)
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Internal Banks — 16
Refresh — 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Special Features — Temperature controlled refresh (TCR)
Access Time — [DATA_NEEDED: CAS latency / access time]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern