K4A4G165WE-BCTD vs MT40A256M16GE-075E:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics et MT40A256M16GE-075E:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WE-BCTD | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $11,38 | $3,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Interface | Parallel, x16 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | — |
| Boîtier | FBGA-96 (TFBGA) | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Terminal Count | 96 | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | — |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Débit de données | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| Refresh | — | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |