K4A4G165WE-BCTD vs MT40A256M16GE-075E:B 比較
詳細な並列比較: K4A4G165WE-BCTD メーカー: Samsung Electronics および MT40A256M16GE-075E:B メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4A4G165WE-BCTD | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $11.38 | $3.95 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| インターフェース | Parallel, x16 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | — |
| パッケージ | FBGA-96 (TFBGA) | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Terminal Count | 96 | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| RoHS ステータス | Compliant (per JLCPCB listing) | — |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| データレート | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| Refresh | — | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |