K4A8G085WB-BCRC vs H5AN8G8NDJR-XNC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BCRC von Samsung Electronics und H5AN8G8NDJR-XNC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BCRC | H5AN8G8NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,80 | $24,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | — |
| Datenrate | 2400 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | — |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Speichergröße | — | 8 Gbit (1 G x 8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to +95°C |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (I/O clock) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |
| Status | — | Active |