K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BIWE von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BICR von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $4,25 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | — |
| Gehäuse | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Pin-Anzahl | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Betriebstemperaturbereich | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |