K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICR 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BICR メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G085WB-BIWE K4A8G085WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIWE ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WB-BIWE K4A8G085WB-BICR
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $4.25
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb —
Memory Organization 1G x 8 —
データレート 3200 Mbps 2400 Mbps
電源電圧 1.2 V 1.2 V (VDD/VDDQ)
動作温度 0°C to +85°C —
パッケージ 78-FBGA 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
Access Time [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CL value] —
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes —
Density — 8 Gb
メモリ構成 — 1G x 8
Number of Banks — 16
Refresh Cycles — 8192
ピン数 — 78
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

データシート&リソース

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