K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BICR par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $4,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | — |
| Boîtier | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 8 |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Nombre de broches | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |