K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BIWE от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BICR от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $4,25 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Рабочая температура | 0°C to +85°C | — |
| Корпус | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Организация памяти | — | 1G x 8 |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Число выводов | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |