K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC-BCTD von Samsung Electronics und K4A8G085WC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Letzte Bestellmöglichkeit
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K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Letzte Kaufgelegenheit Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $50,85 $24,90
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Speicherorganisation 1G x 8 1G x 8
Datenrate 2666 Mbps (PC4-2133) —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Gehäuse 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
Ball Pitch 0.8 mm —
Betriebstemperatur 0C to +95C —
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
Schnittstellentyp Synchronous, parallel —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Versorgungsspannung — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data)
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) — -40 C to +95 C
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) — 0 C to +95 C
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask (DM) — Yes

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