K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCTD par Samsung Electronics et K4A8G085WC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

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K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Dernier achat
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K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Dernier achat Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $50,85 $24,90
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Organisation de la mémoire 1G x 8 1G x 8
Débit de données 2666 Mbps (PC4-2133) —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Boîtier 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
Ball Pitch 0.8 mm —
Température de fonctionnement 0C to +95C —
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
Type d'interface Synchronous, parallel —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Tension d'alimentation — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data)
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) — -40 C to +95 C
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) — 0 C to +95 C
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Fiches techniques et ressources

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