K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BCTD por Samsung Electronics e K4A8G085WC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

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K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Última compra
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K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Última compra Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $50,85 $24,90
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Organização da memória 1G x 8 1G x 8
Taxa de dados 2666 Mbps (PC4-2133) —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Encapsulamento 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
Ball Pitch 0.8 mm —
Temperatura de operação 0C to +95C —
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
Tipo de interface Synchronous, parallel —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Tensão de alimentação — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data)
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) — -40 C to +95 C
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) — 0 C to +95 C
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Fichas técnicas e recursos

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