K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WC-BCTD от Samsung Electronics и K4A8G085WC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Последняя закупкаSamsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WC-BCTD | K4A8G085WC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Последняя закупка | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $50,85 | $24,90 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps (PC4-2133) | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Корпус | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Рабочая температура | 0C to +95C | — |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Тип интерфейса | Synchronous, parallel | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | — | -40 C to +95 C |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | — | 0 C to +95 C |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |