K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC-BIWE von Samsung Electronics und K4A8G085WB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,29 | $5,20 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Datenrate | 3200 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 78-FBGA | 78-pin FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS-Latenz | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |