K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics et K4A8G085WB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,29 | $5,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 78-FBGA | 78-pin FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |