K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WC-BIWE メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.29 | $5.20 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| データレート | 3200 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| 動作温度範囲 | -40°C to +95°C | — |
| パッケージ | 78-FBGA | 78-pin FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CASレイテンシ | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| RoHS ステータス | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| 動作温度 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |