K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics e K4A8G085WB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,29 | $5,20 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 78-FBGA | 78-pin FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latência CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Status RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |