K4A8G085WC-BIWE vs YZ48G08V-F9HPI-M Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC-BIWE von Samsung Electronics und YZ48G08V-F9HPI-M von Loongtion. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WC-BIWE | YZ48G08V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Loongtion |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,29 | $7,20 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| Gehäuse | 78-FBGA | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | POD-12 | Parallel |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS-Latenz | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Package Type | — | FBGA78 |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Not Applicable |