K4A8G085WC-BIWE vs YZ48G08V-F9HPI-M Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics y YZ48G08V-F9HPI-M por Loongtion. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BIWE | YZ48G08V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Loongtion |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,29 | $7,20 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| Encapsulado | 78-FBGA | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | POD-12 | Parallel |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latencia CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Package Type | — | FBGA78 |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Not Applicable |