K4A8G085WC-BIWE vs YZ48G08V-F9HPI-M 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WC-BIWE メーカー: Samsung Electronics および YZ48G08V-F9HPI-M メーカー: Loongtion。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ 生産中
Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WC-BIWE YZ48G08V-F9HPI-M
ブランド Samsung Electronics Loongtion
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.29 $7.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
データレート 3200 Mbps 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
動作温度範囲 -40°C to +95°C -40°C to +85°C
パッケージ 78-FBGA —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース POD-12 Parallel
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
CASレイテンシ 22 (CL22) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
電源電圧 — 1.2 V
Package Type — FBGA78
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — Not Applicable

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