K4A8G085WC-BIWE vs YZ48G08V-F9HPI-M Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics et YZ48G08V-F9HPI-M par Loongtion. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BIWE | YZ48G08V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Loongtion |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,29 | $7,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| Boîtier | 78-FBGA | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | POD-12 | Parallel |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Package Type | — | FBGA78 |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Not Applicable |