K4A8G165WB-BCPB vs MT41K256M16TW-107 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCPB von Samsung Electronics und MT41K256M16TW-107 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCPB | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $14,10 |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.35 V |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speichertyp | — | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |