K4A8G165WB-BCPB vs MT41K256M16TW-107 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16TW-107 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCPB | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.30 | $14.10 |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.35 V |
| 動作温度 | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| パッケージ | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS ステータス | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| メモリタイプ | — | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | — | 4 Gbit |
| インターフェース | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| データバス幅 | — | 16 bit |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |