K4A8G165WB-BCPB vs MT41K256M16TW-107 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCPB par Samsung Electronics et MT41K256M16TW-107 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCPB | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $14,10 |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.35 V |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Type de mémoire | — | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |