K4A8G165WB-BCPB vs MT41K256M16TW-107 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCPB por Samsung Electronics y MT41K256M16TW-107 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BCPB | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,30 | $14,10 |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.35 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Tipo de memoria | — | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gbit |
| Interfaz | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |