K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BIWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $12,57 | $14,22 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 2400 Mbps (PC4-19200) | 3200 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Technology | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | -40C to +95C | -40°C to +95°C |
| Schnittstelle | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) | Parallel |
| On-Die Termination | Yes (ODT with dynamic ODT) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes (CRC function) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS | — | Compliant |
| Anzahl der Pins | — | 96 |