K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCRC por Samsung Electronics e K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $12,57 | $14,22 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gb (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Taxa de dados | 2400 Mbps (PC4-19200) | 3200 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Technology | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -40C to +95C | -40°C to +95°C |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) | Parallel |
| On-Die Termination | Yes (ODT with dynamic ODT) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes (CRC function) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organização da memória | — | 512M x 16 |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS | — | Compliant |
| Número de pinos | — | 96 |