K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G165WB-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $12,57 | $14,22 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps (PC4-19200) | 3200 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Technology | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die | — |
| Корпус | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -40C to +95C | -40°C to +95°C |
| Интерфейс | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) | Parallel |
| On-Die Termination | Yes (ODT with dynamic ODT) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes (CRC function) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Организация памяти | — | 512M x 16 |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS | — | Compliant |
| Количество выводов | — | 96 |