K4A8G165WB-BIRC vs K4A8G165WB-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BIRC von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BIRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $39,50 | $12,57 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 2400 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Schnittstelle | 16-bit | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | — | -40C to +95C |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS-Status | — | Compliant |