K4A8G165WB-BIRC vs K4A8G165WB-BCRC 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BIRC メーカー: Samsung Electronics および K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BIRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $39.50 | $12.57 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| データレート | 2400 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| 動作温度範囲 | -40°C to +95°C | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| インターフェース | 16-bit | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| 動作温度 | — | -40C to +95C |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS ステータス | — | Compliant |