K4A8G165WB-BIRC vs K4A8G165WB-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BIRC par Samsung Electronics et K4A8G165WB-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BIRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $39,50 | $12,57 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 2400 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Interface | 16-bit | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +95C |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Statut RoHS | — | Compliant |