K4A8G165WB-BIRC vs K4A8G165WB-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WB-BIRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G165WB-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WB-BIRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $39.50 | $12.57 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| 인터페이스 | 16-bit | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 동작 온도 | — | -40C to +95C |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS 상태 | — | Compliant |