K4A8G165WB-BIWE vs AS4C512M16D4A-62BIN Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BIWE von Samsung Electronics und AS4C512M16D4A-62BIN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BIWE | AS4C512M16D4A-62BIN |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,22 | $8,10 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 Mbps per pin |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13mm) |
| Schnittstelle | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Burst Length | 8, 16 | 8 (with burst chop 4) |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 22 cycles) |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Speichergröße | — | 8 Gbit |
| Clock Rate | — | 1600 MHz |
| Lead Free | — | Yes |