K4A8G165WB-BIWE vs AS4C512M16D4A-62BIN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BIWE par Samsung Electronics et AS4C512M16D4A-62BIN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BIWE | AS4C512M16D4A-62BIN |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,22 | $8,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 Mbps per pin |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13mm) |
| Interface | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Burst Length | 8, 16 | 8 (with burst chop 4) |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 22 cycles) |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Clock Rate | — | 1600 MHz |
| Lead Free | — | Yes |