K4A8G165WB-BIWE vs AS4C512M16D4A-62BIN Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BIWE от Samsung Electronics и AS4C512M16D4A-62BIN от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BIWE | AS4C512M16D4A-62BIN |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $14,22 | $8,10 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 Mbps per pin |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13mm) |
| Интерфейс | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Burst Length | 8, 16 | 8 (with burst chop 4) |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 22 cycles) |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Количество выводов | 96 | — |
| Размер памяти | — | 8 Gbit |
| Clock Rate | — | 1600 MHz |
| Lead Free | — | Yes |