K4A8G165WB-BIWE vs AS4C512M16D4A-62BIN Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics y AS4C512M16D4A-62BIN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BIWE | AS4C512M16D4A-62BIN |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,22 | $8,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 Mbps per pin |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13mm) |
| Interfaz | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Burst Length | 8, 16 | 8 (with burst chop 4) |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 22 cycles) |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pines | 96 | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Clock Rate | — | 1600 MHz |
| Lead Free | — | Yes |