K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WC-BCRC von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $23,00 | $37,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 2400 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (case) | 0°C to +95°C (TC) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96-ball FBGA |
| Schnittstelle | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |