K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WC-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G165WB-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $23,00 | $37,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (case) | 0°C to +95°C (TC) |
| Корпус | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96-ball FBGA |
| Интерфейс | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Задержка CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |