K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics y K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $23,00 | $37,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (case) | 0°C to +95°C (TC) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96-ball FBGA |
| Interfaz | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |