K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD 比較

詳細な並列比較: K4A8G165WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A8G165WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ 生産中
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K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WB-BCTD
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $23.00 $37.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
データレート 2400 Mbps 2666 Mbps/pin (PC4-2666)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
VPP Voltage 2.5 V —
動作温度 0°C to +95°C (case) 0°C to +95°C (TC)
パッケージ 96-ball FBGA (9mm x 13mm) 96-ball FBGA
インターフェース 16-bit I/O —
Banks 16 (4 bank groups) —
Burst Length 8 (BL8) —
CASレイテンシ Programmable (e.g., 16, 17, 18) [DATA_NEEDED: CL value]
Refresh Temperature-compensated self-refresh (TCSR) Auto-refresh, self-refresh
RoHS Compliant Compliant
実装タイプ Surface Mount —
Total Density — 8 Gb
電源電圧 — 1.2 V
tRCD — [DATA_NEEDED: tRCD value]
tRP — [DATA_NEEDED: tRP value]
On-Die Termination — Yes (ODT)
ZQ Calibration — Yes
Data Mask — Yes

データシート&リソース

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