K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics et K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $23,00 | $37,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 2400 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (case) | 0°C to +95°C (TC) |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96-ball FBGA |
| Interface | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |